大(dà)家好，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法八千米多少公里律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)八千米多少公里、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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