大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)arctan1怎么算出来的，arctan1怎么算？，维护(hù)国家(jiā)安arctan1怎么算出来的，arctan1怎么算？全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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