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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息华约有哪些国家，华约有哪些国家组成约基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应华约有哪些国家，华约有哪些国家组成约商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大华约有哪些国家，华约有哪些国家组成约(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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