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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导对付睡完就跑的男人，报复睡完就跑的男人(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线对付睡完就跑的男人，报复睡完就跑的男人资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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