大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，四大哲学流派有哪些 四大哲学流派是什么意思>我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发四大哲学流派有哪些 四大哲学流派是什么意思文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)四大哲学流派有哪些 四大哲学流派是什么意思势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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