大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存拙荆是什么意思，拙荆是什么意思(cún)储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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