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　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

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　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全(q香炉里面放什么东西插香 香炉里面可以放大米吗uán)法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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