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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品大闸蟹几月份开始上市，大闸蟹几月份最好吃(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(z大闸蟹几月份开始上市，大闸蟹几月份最好吃hǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn大闸蟹几月份开始上市，大闸蟹几月份最好吃)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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