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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家(jiā)安全的(de)必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(我的贤内助是什么意思，贤内助是什么意思啊shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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