大家好，来看一(yī)则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重(zh辛追夫人是谁的夫人，辛追夫人是谁的母亲òng)大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购(g辛追夫人是谁的夫人，辛追夫人是谁的母亲òu)美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品(pǐn)辛追夫人是谁的夫人，辛追夫人是谁的母亲strong>

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。