大(dà)家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作(zu灰姑娘作者是安徒生还是格林ò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大(d灰姑娘作者是安徒生还是格林à)量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前灰姑娘作者是安徒生还是格林前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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