大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网小舞去掉所有衣服是什么样子的络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美小舞去掉所有衣服是什么样子的光是美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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