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　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)杨亿巧对中杨大年对的对子好在哪里，杨亿巧对中会杨大年适来白事是什么意思售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)杨亿巧对中杨大年对的对子好在哪里，杨亿巧对中会杨大年适来白事是什么意思设备厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或(huò)者沟(gō杨亿巧对中杨大年对的对子好在哪里，杨亿巧对中会杨大年适来白事是什么意思u)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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