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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安千里修书只为墙 让他三尺又何妨全诗告诉我们什么道理，千里修书只为墙让他三尺又何妨全诗全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)千里修书只为墙 让他三尺又何妨全诗告诉我们什么道理，千里修书只为墙让他三尺又何妨全诗鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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