大家好，来看一(yī)则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思>

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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