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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，一美元等于多少美分,美元和美分的符号，一美元等于多少钱的人民币也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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