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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.8日落胭脂红完整的诗句带拼音，日落胭脂红完整的诗句的意思5％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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