大家好，来看一(yī)则突发(fā)消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK tan1等于多少，tan1等于多少兀海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎotan1等于多少，tan1等于多少兀)致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

未经允许不得转载：成都工装公司_工装装修效果图_专注公装设计装修 - 无同之家装饰 tan1等于多少，tan1等于多少兀