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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jībushi是什么意思，bushi是什么意思中文翻译ng)圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎnbushi是什么意思，bushi是什么意思中文翻译)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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