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浴资都包括什么 浴资是门票吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发消息。

  美光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了(le)网络安全(quán)审查。

  审查(chá)发现(xiàn),美光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此,网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规,我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

  此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查,目(mù)的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全,是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入浴资都包括什么 浴资是门票吗(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称,为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全,防范(fàn)产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对美光(guāng)公司(Micron)在(zài)华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中(zhōng)国出手:停(tíng)止采购(gòu)!

  美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业(yè)龙头,也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57%降至202浴资都包括什么 浴资是门票吗2年(nián)约11%。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存(cún))市场份(fèn)额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

  美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng),至少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示,江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势,公司(sī)也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

  有券商此前就分(fēn)析(xī),如果美光在中国区销售受(shòu)到限制,或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽,催生更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露,薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名(míng)单(dān),设备国(guó)产化进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄膜沉(chén)积)等相关(guān)公司份额提升,以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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