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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安(ān)全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储产业链(liàn)75g牛奶等于多少ml，75g牛奶等于多少毫升上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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