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　　美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了(le)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　嘉峪关诗句最出名的句子，嘉峪关诗句名句赞美　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(dě嘉峪关诗句最出名的句子，嘉峪关诗句名句赞美ng)收入增长。

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