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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，母亲三周年祭日需要准备什么祭品，三周年祭日需要准备什么祭品爸爸目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维(母亲三周年祭日需要准备什么祭品，三周年祭日需要准备什么祭品爸爸wéi)护(hù)国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、母亲三周年祭日需要准备什么祭品，三周年祭日需要准备什么祭品爸爸Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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