大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(异丁烯结构式图片，异丁烯结构式怎么写hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也异丁烯结构式图片，异丁烯结构式怎么写(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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