大家(jiā)好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全(quán)的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是cpb属于哪个档次的，cpb属于什么档次的全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求cpb属于哪个档次的，cpb属于什么档次的。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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