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1h等于多长时间怎么算,1h等于多少时间 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好(hǎo),来看一则突(tū)发消息。

  美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安全审(shěn)查

  据网信(xìn)办消(xiāo)息(xī),日前,网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn),对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn),影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此,网络(luò)安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规,我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

  此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查,目的(de)是防范产品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全,是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng),只要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán),防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险,维护国家安全,依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》,网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办法》,对(duì)美光公司(sī)(Micron)在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全审查。

  半导体突发!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头,也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī),2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM (内(nèi)存)市(shì)场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng),采(cǎi)购约(yuē)31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性,巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì),公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制,或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士,国(guó)内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

1h等于多长时间怎么算,1h等于多少时间>  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽,催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长江存储被加入美国限制名单,设备(bèi)国产化(huà)进程加速(sù),看好拓(tuò)荆(jīng)科技(薄(báo)膜沉积)等相关公司份额提(tí)升,以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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