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　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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