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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(s七分之二十二是无理数吗，七分之22是不是无理数hěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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