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微信二维码收款限额是多少,个人收款码一天可以收多少笔 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

  据网信办消息,日前(qián),网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

  审查发现,美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患,对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全风险,影(yǐng)响我国国家安全。为此,网络安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规,我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。微信二维码收款限额是多少,个人收款码一天可以收多少笔ng>

  此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查,目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全(quán),是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放,只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手(shǒu):停止(zhǐ)采购(gòu)!

  3月31日,中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称,为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风(fēng)险,维护国家安(ān)全,依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)网络安全法》,网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头,也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰57微信二维码收款限额是多少,个人收款码一天可以收多少笔%降至2022年(nián)约(yuē)11%。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市(shì)场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下降,至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约,确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应优势(shì),公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

  有(yǒu)券商此前就(jiù)分析(xī),如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制,或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士,国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤,同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo),催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75%。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国限制名单,设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速,看好拓(tuò)荆科(kē)技(薄膜沉积(jī))等相关公司份额提(tí)升(shēng),以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入(rù)增长。

 

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