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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施(sh50g是几两 50g是一两吗ī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、50g是几两 50g是一两吗Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或从(cón50g是几两 50g是一两吗g)中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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