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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大两只小兔子吸红肿了，两只头头被吸肿了安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每两只小兔子吸红肿了，两只头头被吸肿了层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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