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过渡句在文章中起什么作用,过渡句在文中起什么作用,有什么好处 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

  据(jù)网信办消息,日前(qián),网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

  审查发现,美(měi)光(guāng)公司产品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患,对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险,影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ),网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī),我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

  此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查,目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全(quán),是维护国家安全的(de)必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放,只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求,欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称,为(wèi)保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全,防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维(wéi)护国(guó)家安全,依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》,网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停(tíng)止采购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu),也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一,2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM (内存)市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公司中,江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商。

  美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下(xià)降,至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商,采(cǎi)购约(yuē)31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合作。过渡句在文章中起什么作用,过渡句在文中起什么作用,有什么好处20过渡句在文章中起什么作用,过渡句在文中起什么作用,有什么好处22年(nián)年报显示,江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确(què)保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性,巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制,或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析(xī)称(chēng),长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露,薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75%。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān),设(shè)备国产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司(sī)份额提升,以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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