大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发乐福鞋按什么鞋码买，乐福鞋不适合什么人穿(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公乐福鞋按什么鞋码买，乐福鞋不适合什么人穿(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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