大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法国v是不是国5，国v与国vl的区别对美光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为国v是不是国5，国v与国vl的区别(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显国v是不是国5，国v与国vl的区别著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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