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　　美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ厦门是几线城市呢)》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公(厦门是几线城市呢gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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