大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》写照的意思 写照是什么词性等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统写照的意思 写照是什么词性计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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