大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措(张继是什么朝代的诗人怎么读，张继是什么朝代的诗人啊cuò)施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。张继是什么朝代的诗人怎么读，张继是什么朝代的诗人啊f0000; line-height: 24px;'>张继是什么朝代的诗人怎么读，张继是什么朝代的诗人啊strong>存储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。