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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全(硝酸银的相对原子质量是多少整数，硝酸银的相对原子quán)审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息(xī)基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xi硝酸银的相对原子质量是多少整数，硝酸银的相对原子à)游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及硝酸银的相对原子质量是多少整数，硝酸银的相对原子刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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