大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。日语jtest报名入口，日语jtest报名费p>

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审(s日语jtest报名入口，日语jtest报名费hěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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