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汉语拼音u在什么时候上面加两点,拼音里的u什么时候加点 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

  据(jù)网信(xìn)办消息,日前,网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险,影响我国国家安全。为此,网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī),我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

  此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络(luò)安全审查,目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán),是(shì)维(wéi)护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放,只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要(yào)求(qiú),欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称,为保障关键信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险,维护国家安全,依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》,网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查(chá)。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头,也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存(cún))市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降,至少已经不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì),江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē),确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性,巩固公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势,公司也与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

  有券(quàn)商此前(qián)就分析,如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制,或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士,国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤,同时刻汉语拼音u在什么时候上面加两点,拼音里的u什么时候加点蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75%。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制名单,设备国产化进程加速,看好拓(tuò)荆(jīng)科技(薄膜沉积(jī))等(děng)相关(guān)公司份额提升,以及存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的华(huá)海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等汉语拼音u在什么时候上面加两点,拼音里的u什么时候加点收(shōu)入增长。

 

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