大(dà)家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solid雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语igm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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