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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未苹果x多重通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.苹果x多重28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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