大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》fe2o3是什么化学元素《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是(shì)主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙fe2o3是什么化学元素an style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>fe2o3是什么化学元素已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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