大家(jiā)好，来看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)《人民的名义》陈海是被谁暗算了 人民的名义是真实改编的吗height: 24px;'>《人民的名义》陈海是被谁暗算了 人民的名义是真实改编的吗电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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