大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审(s危楼高百尺的危是什么意思，危楼高百尺的危是什么意思是危险还是高hěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng危楼高百尺的危是什么意思，危楼高百尺的危是什么意思是危险还是高)，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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