大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　当兵的人会不会那方面不行，当兵男是不是都精力旺盛="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日，中(当兵的人会不会那方面不行，当兵男是不是都精力旺盛zhōng)国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致当兵的人会不会那方面不行，当兵男是不是都精力旺盛下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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