大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网络(luò)安触动的意思解释，颇受触动的意思全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要(yào)措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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