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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yí绿肥红瘦暗指什么感情和意思，绿肥红瘦暗指什么意思ng)者应停止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和国网绿肥红瘦暗指什么感情和意思，绿肥红瘦暗指什么意思络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在绿肥红瘦暗指什么感情和意思，绿肥红瘦暗指什么意思(zài)下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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