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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中(zh苯可以和溴水发生反应吗为什么，苯可以和溴水发生加成反应吗ōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìn苯可以和溴水发生反应吗为什么，苯可以和溴水发生加成反应吗g)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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