大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是外国保质期日期是什么顺序 mfd是生产日期吗美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙(lóng)外国保质期日期是什么顺序 mfd是生产日期吗、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀外国保质期日期是什么顺序 mfd是生产日期吗占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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